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产品信息
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FET 型
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET 特点
逻辑电平门
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C
122 毫欧 @ 2.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)
30V
Id 时的 Vgs(th)()
2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
在 Vds 时的输入电容(Ciss)
227pF @ 10V
功率 -
1.08W
安装类型
表面贴装