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产品信息
原装，真实有货，交货快，量大价优！
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 23 毫欧 @ 6A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss)：670pF @ 10V
FET 型：N 沟道
FET 特点：逻辑电平门
功率 - ：1.7W
典型下降时间：6 ns
典型上升时间：5 ns
典型关闭延迟时间：14 ns
闸/源击穿电压：+ /- 12 V
工作温度：+ 150 C
工作温度：- 55 C
包装：3000PCS/盘